近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體概念異軍突起，在上週五大盤低迷的情況下依然創下較好的市場表現。今日早盤，此概念板塊依然繼續發力，儘管盤中有所回落，但也獲得了主力資金的大幅流入。
機構人士指出，第三代半導體的火爆，一方面受國家政策面影響：有消息稱，中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入“十四五”規劃之中；而更重要的是當前國內的人工智能、5G等產業的技術和應用發展向好，支撐了板塊內相關細分行業的業績。
但是，值得注意的是，半導體板塊當前的平均估值較高，市場已經給予了較大的預期，投資需要把握企業的成長價值，避免跟風炒作。
“第三代半導體”是何方神聖？
中芯國際創始人兼原CEO、中國半導體奠基人張汝京曾在8月份舉辦的“中國第三代半導體發展機遇交流峯會”上這樣闡釋第三代半導體：
第一代半導體材料以鍺和硅為主，因為技術開發得好，所以現在很少用到鍺，用硅比較多；
第二代半導體材料中，常用的是砷化鎵和磷化銦，但由於砷有毒，所以很多地方不允許使用，所以第二代半導體材料在高速功率放大器中應用得比較多、LED裏也會用到；
第三代半導體出現了更好的材料，有碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等。碳化硅用在高電壓、大功率等方面有特別優勢。而人們最熟悉的應用，則是在新能源汽車裏，比如特斯拉的Model 3就有用到。氮化鎵則在高頻的功放器件上用得很多，氮化鋁有特殊用途，民用較少。
有消息稱，中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入“十四五”規劃之中，計劃在2021到2025年的五年之內，舉全國之力，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發展提供廣泛支持，以期實現產業獨立自主。
在我國發力“新基建”的背景下，第三代半導體材料成了非常重要的技術支撐。今年4月，國家發改委首次官宣“新基建”的範圍，正式定調了5G基建、人工智能、工業互聯網等七大領域的發展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料。比如， 以氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導體，支撐着5G基站及工業互聯網系統的建設；以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導體，支撐着新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設。
根據Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》顯示，2018年，全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的銷售收入為5.71億美元，預計到2020年底增至8.54億美元。未來十年將保持年均兩位數增長率，到2029年將超過50億美元。
國內外大廠紛紛“卡位”
全球範圍內，半導體大廠紛紛佈局，IDM廠商意法半導體購併NorstelAB以及法國Exagan、英飛凌收購Siltectra，以及日商ROHM收購SiCrystal等事件都頗受業界關注。
國內方面，不少廠商也開始圍繞第三代半導體“排兵佈陣”。比如，海特高新(002023,股吧)子公司海威華芯建立了國內第一條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導體晶圓生產線。據稱，其技術指標達到國外同行業先進水平，部分產品已經實現量產。賽微電子涉及第三代半導體業務，主要包括GaN（氮化鎵）材料的生長與器件的設計。
三安光電在長沙設立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，目前項目正處於建設階段。聚燦光電(300708,股吧)目前產品涉及氮化鎵的研發和生產，外延片的技術就是研發氮化鎵材料的生長技術，芯片的技術就是研發氮化鎵芯片的製作技術。
露笑科技也在今年8月投資了100億建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園。露笑科技(002617,股吧)與合肥市長豐縣人民政府簽署戰略合作框架協議，包括但不限於碳化硅等第三代半導體的研發及產業化項目，包括碳化硅晶體生長、襯底製作、外延生長等的研發生產，項目投資總規模預計100億元。
華為旗下的哈勃科技投資有限公司早在2019年8月份投資了碳化硅龍頭企業山東天嶽，持股10%；聯想也斥資近10億元戰略投資安防視頻監控領域的芯片企業富瀚微(300613,股吧)。
據張汝京介紹，第三代半導體的設備並不是特別貴，投資不需要很大，他估計，一個工廠，不算廠房和土地，設備10億-20億就可以了。在他看來，國內發展第三代半導體產業最大的掣肘在於人才，這在國內比較稀缺。
但它的材料不容易做，設計上要有特別的優勢。投資方更需要考慮的是市場、投資回報率、政府支持度和好的技術團隊，在他看來，真正有經驗做第三代半導體的人在國內並不多。
國產替代空間幾何？
我國是全球最大的半導體消費國，消費量佔全球比重超40%，根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元，同比增長15.77%。但需要注意的是，我國的半導體產品仍以進口為主。據CSIA數據顯示，2020上半年，我國集成電路銷售額為3539億元；而據海關總署數據顯示，2020上半年我國集成電路產品進口額達1546.1億美元（約合10567.59億人民幣），遠高於本土集成電路銷售額。
為何目前第三代半導體材料的比重仍然較低，業內人士指出，量產的困難仍是業界最大的挑戰。架橋資本合夥人童亮亮接受記者採訪時表示，半導體材料的量產低主要原因是：碳化硅的單晶需要在2000度的高温和350MPa條件下生成，生長速度是硅的1/3甚至1/5。它可能生長成為200多種不同的晶態，一點點温度、壓力和氣體環境的偏差都會得到不同的結果。要在這麼嚴苛的條件下生長出符合要求的大尺寸無缺陷的材料是非常難的。氮化鎵襯底可以選用硅、碳化硅等，但是晶格失配的問題會嚴重限制長晶的速度和成品率。國外公司也是用了幾十年的時間才部分解決了量產問題。“我們才剛剛起步，需要做的功課還很多。”童亮亮説。
在市場應用方面，童亮亮表示，因為其良好的熱導率、超高的擊穿電場等特性，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料在電力電子和通信等領域會佔據越來越多的份額。但是即使在這些領域，因為成本的原因硅也還是會佔據大部分市場份額。在其他領域，硅依然會佔據95%以上的市場。“最先進的數字芯片製程一定是用硅做的，硅是不可替代的半導體材料，是我們芯片自主可控的主戰場。”
半導體板塊火爆，跟還是不跟？
9月4日，有關第三代半導體材料納入國家戰略的消息讓半導體板塊火了一把，板塊整體大漲，其中不乏創業板中的半導體公司如乾照光電(300102,股吧)、聚燦光電直接被頂上20%的漲停板，賺錢效應明顯。
而在9月7日早盤，第三代半導體繼續爆發，但在隨後有所回落，但由中證指數公司編制的中證全指半導體產品與設備指數已達6476點，較年初時上漲了38%。機構對第三代半導體後市如何展望？哪些細分板塊會受關注？
美港資本創始合夥人張李衝接受記者採訪時表示，當前半導體板塊的上漲，最主要的推動邏輯是來自於政府對於半導體產業前所未有的扶持力度，近幾年也能看出政府對扶持國內半導體產業的態度和決心非常堅決。目前來看，雖然我國半導體領域仍以進口為主，但中低端的替代趨勢已經非常明顯，高端部分則尚需時日。從估值來看，張李衝認為，雖然經過一定程度的調整，但目前半導體行業的個股估值普遍較高，意味着市場給予了較大的預期，從長期看，半導體行業將是我國未來最重點的發展領域，從投資角度而言，他認為需要等待國際因素等不確定性風險充分釋放後，選取相對影響小、替代空間較大的個股進行戰略佈局。
除了政策和事件的驅動之外，私募排排網未來星基金經理夏風光認為，人工智能、大數據等賽道的素質優異，也是部分個股增長較快、市場關注度高的原因。“目前我國擁有半導體最大的市場和不斷更迭的技術應用，未來國產替代的空間會非常大，加上面臨海外局勢動盪多變，在此背景下，加快半導體產業的發展是必然的趨勢。”夏風光表示。但是，在他看來，需要注意的是，在板塊平均估值較高、行業逐漸成熟的過程中，集中度也在不斷提升，最終可能只有少部分企業成為最終的贏家，所以要注意把握企業的成長價值，避免跟風炒作概念。而從科技發展的層次來看，在中期內可以預期的，應該是新能源車、5G通信等相關行業。
來源：證券時報網