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文 | 新眸，作者｜子默，編輯｜棲木
2019年10月1日，TMC（ToshibaMemory Corporation，東芝存儲器公司）宣佈改名為鎧俠控股株式會社（KioxiaHoldings Corporation）。
至此，上世紀七、八十年代紅極一時的日本半導體產業五巨頭富士通（FujitsuLimited）、日本電氣（NEC Corporation）、日立（HITACHI）、東芝（Toshiba）和三菱電機（Mitsubishi Electric）均退出半導體市場，改為持股與之相關公司。
這些從五巨頭手中剝離出來的相關業務，在一輪又一輪的重組、變賣中，只剩下歷史可循。瑞薩（RenesasElectronics Corporation）作為交叉組合的產物之一，也是他們中為數不多在剝離重組後，還沒有被變賣給國外資本的資產之一。
換句話説，日本半導體產業，只剩下瑞薩還保持着日系血統，成為僅有的遺腹子。
01 尋找機會1948年，在被“接管”下的日本政府，為指導中小企業提高管理水平和有效運用設備、資金等相關資源，制定及頒佈了《中小企業診斷制度》。
此時的日本，正處於走出戰爭對經濟影響的“戰後復興”階段，《制度》的推出，政府根據企業提出的申請，從設備、生產、技術、產品、質量、成本、經營方針、經營內容等各種角度就企業的加以調查和診斷，提出改善方向與經營管理指導，並從財政、金融等方面加以扶持。對於部分產業，政府根據實際情況，通過淘汰、合併和“系列化”對企業進行整頓，以達到激活企業的目的。
一年後，為穩定日本經濟、平衡財政預算、抑制通貨膨脹，美國佔領軍財政顧問、美國底特律銀行總裁道奇提出“經濟安定九原則”，以九條原則為基礎的政策被稱為“道奇計劃”。
道奇計劃實施沒多久，1950年，朝鮮戰爭爆發，最靠近戰場西方陣營的日本，自然成為美國為首的“聯合國軍”的後勤基地，美國對日本政策發生巨大的變化，試圖將日本作為工業產品供應地，使之服務於自身的軍事目的。
以此為轉變，美國開始支援日本的產業發展，日本進入到“朝鮮特需”（指 1950-52 年因朝鮮戰爭所帶來的日本戰爭物資需求）階段，接受了美國軍方的大批量訂貨，經濟水平得以恢復至二戰前水平。
1954年，日本進入長達31個月的“神武景氣”時期，這是日本戰後的第一個階段性的經濟增長時期。日本選擇性的提出電力基礎設施建設的“五年計劃”，依靠基礎建設投資與消費等內需拉動經濟增長，到了五十年代默末期，日本家庭的冰箱、洗衣機和電視機“三大件”開始普及。
得益於“朝鮮特需”的政策，日本在1954年迎來了第三次工業革命最為代表性的產品：基於半導體技術生產的產品。
富士通在這一年硏制並生產出了日本第一台電腦：FACOM 100，七年後，富士通第二代晶體管計算機FACOM 222正式推出。
1955年1月，成立10年的索尼以2.5萬美元的價格，從貝爾實驗室（Bell Labs）獲得晶體管技術。與該技術一同來到日本的，是盛田昭夫帶回的《晶體管技術》一書。在還是真空管的世界中，索尼基於獲得的晶體管技術開發並生產出世界第一台半導體收音機TR-55。
這在日本半導體產業發展史上，是最具有標誌性意義的事件，TR-55的推出，意味着日本可以大規模生產半導體，從而生產更多的半導體產品，日本的企業們，已經看到了產業發展的趨勢。
在FACOM 222推出的1959年，NEC推出了旗下第一款晶體管計算機“NEAC-2201”，這距離NEC開始研發晶體管，已經過去10年。
這一年，日本生產了大約8600萬個晶體管，取代美國成為世界第一的晶體管生產國。1960年，日本晶體管的年產量突破1億個，連續第二年超過美國。
有意思的是，當時的美國人認為，晶體管技術只是一個過渡技術，因此在日本公司和他們的商品，在世界上開始流行的時候，他們並不十分在意，轉而繼續加大向日本提供技術支持和專利售賣。
時間的巨輪，給了日本公司以機會。
1958年，世界上第一個鍺基集成電路（IntegratedCircuit，IC，也就是我們今天所説的芯片）在基爾比（JackKilby）的帶領下，誕生在TI（TexasInstruments，德州儀器）的實驗室中。
1960年，仙童（FairchildSemiconductor）在一片硅晶圓上集成了四個晶體管，這是世界上第一個硅基集成電路。同年，赫爾尼（JeanHoerni）將半導體生產的枱面工藝（Mesa process technology）改進為平面工藝（Planarprocess technology）。
1963年，NEC獲得了仙童的平面工藝技術的生產授權，以此為標誌，日本獲得了集成電路的批量製造技術工藝。
日本政府要求NEC將取得的技術共享給國內其他廠商，包括日立、富士通、三菱、東芝等日本企業，從這個時候起，開始大規模進入半導體產業，藉着1965年開始，長達五年的“伊奘諾景氣”，日本半導體行業在戰後日本最長的經濟增長期中，得到了高速的發展。
02 時不待我1964年4月7日，IBM（InternationalBusiness Machines Corporation，國際商業機器公司）推出了System 360系列大型主機，這個劃時代的產品，改變了商業界、科學界、政府以及IT界本身。
為了追趕IBM的大型機技術，日本通產省於1966年啓動了“超高性能電子計算機的開發”大型項目，該項目的目標是開發出可同IBM360系列競爭的高性能第三代計算機。與此同時，日本將通產省下轄的工業技術院電子技術綜合研究所、民間企業及高等院校的資源集合起來，開創了一條政府主導的“產-學-研”的半導體革新之路。
但是，隨着IBM第三代大型機IBMSystem 370、第四代大型機“未來系統”的推出，日本落後至少一代的技術差距，讓日本無法對IBM進行追趕，如果不能在一些關鍵技術領域取得突破，日本企業想超越以IBM為代表的美國企業，根本是不可能完成的任務。
1972年2月21日，尼克松抵達北京，開始了對中國的訪問之旅，美國對中國在外交和經濟政策上調整，對於日本政治與經濟形成了“尼克松衝擊”。隨後發生的“石油危機”，加劇了日本對於經濟結構的調整，日本從內需導向的經濟，變為出口導向和對外投資。
1974 年，日本經歷了戰後GDP 的首次負增長。日本在這一輪的調整中，產業扶持政策也從此前的以重工業為中心轉向精密儀器與電氣機械等為主的高精技術產業。
首當其衝的，就是半導體產業。
1975年7月，通產省成立了一個“電子情報課”的機構，負責策劃計算機及DRAM（Dynamic random-access memory，動態隨機存取內存）的開發，即“DRAM製法革新”國家項目。
1976年3月10日，“DRAM製法革新”下屬的國家性科研機構“VLSI技術研究組合（研究組）”成立。VLSI（Very Large Scale Integration，超大規模集成電路）項目的推出，使得日本找到了一個在美國技術壁壘下的突破口。
研究組的成員，除了日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所之外，都是通產省選定的，他們主要是日立、NEC、富士通、三菱、東芝——當初NEC獲得仙童製造技術的時候，日本政府要求開放的也是這五家公司。研究組合啓動資金的來源，是政府注資和自籌資金，其中由日本政府出資320億日元，其他成員聯合籌資400億日元，總計投入720億日元來推進該項目。
另外，以日本電信電話公社（NTTPC）牽頭的商業公司，也投入到這一領域的聯合研發中去，以NTTPC牽頭的民間商業組織，在研發週期、投入預算、參與者等方面與通產省組織的有一定差距，但是這足以説明，日本商業機構間面對美國半導體的強勢地位，已經有所覺悟，這對於後期的聯合與突破，具有非常重要的指導意義。這種指導意義，對於現階段中國的半導體行業來説，是非常具有現實意義的。
日本開創了全球半導體產業發展史上的一個先例，即舉國體制是發展高精尖製造業的有效方式。
以官方為主導，通過制定產業發展政策、引導經濟結構的發展方向，鼓勵企業對外引進國外先進技術，並將技術共享給國內領導性企業，共同開發和完善引進技術，做好消化再吸收的轉化。
通過政府出資，企業籌資的方式，進行官方的“產-學-研”模式，推進重大項目的進程。在民間，鼓勵企業抓住機會，共同以國家政策為導向，制定和組織同類型的合作模式進行新技術的研發及突破。
如果以1954年的電力基礎設施投資建設的“五年計劃”為開端，日本在電子信息領域到半導體行業的集中性政策制定來看，前後持續了超過50年的時間。
也正是這種長期的官方主導行為，讓日本在半導體產業，一度獲得了領導性地位。
03 初見成效根據公開信息顯示，研究組的成員中，根據實際情況的安排，有着非常明確的技術及研發方向分工。
其中，日立（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置；富士通（第二研究室）研製可變尺寸矩形電子束掃描裝置；東芝（第三研究室）負責掃描裝置與製版複印裝置；電氣綜合研究所（第四研究室）對硅晶體材料進行研究；三菱電機（第五研究室）開發製程技術與投影曝光裝置；NEC（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究。
研究組成立之初，由日立牽頭，組織並集中了超過800 名的技術人員，共同研發高性能DRAM製程技術。他們初始的目標是在短期內突破64K DRAM和256K DRAM的研發，並實現突破1um製程精度的研發。遠期目標是在10-20年內，實現1MB DRAM的研發，並逐步推進低製程技術的變革。
為了擺脱美國技術的影響，通產省制定了一系列的目標，其中之一就是全產業鏈計劃，日本要實現從原料、設備到製造的全部產品的自主研發與製造，並基於這些產品，能夠搭建先進的半導體生產製造，完成全產業鏈的覆蓋，其目的是讓日本半導體行業追趕甚至超越美國。
從技術上看，芯片產業包括：製造芯片的產業、製造芯片工藝所需的生產設備產業和製造芯片工藝所需的硅單晶等各種材料的產業，其中後兩者相當於製造芯片產業的兩翼，沒有兩翼的支撐，製造芯片產業是很難騰飛的。
日本半導體產業技術來源，在此之前主要依靠從美國、西歐引入，隨着研發進程的深入，日益轉向使用國產設備和材料。
可以説，從研究組的組建，日本及參與企業在項目實施初期，就對今後如何研發半導體技術以、如何讓相關製造設備國產化，均有明確的方向。
以開發“超大規模集成電路”為契機，大力推進芯片生產設備和芯片材料產業的發展、使日本芯片產業迅速轉變為依靠國產設備和材料的獨立自主產業部門。
日本在極短的時間內，以強大的國家意志為主導，逐步形成了完整的產業鏈，構建了日本體系內成熟的半導體產業。
更為重要的是，日本開發出了半導體制造過程中的關鍵設備縮小投影型光刻裝置，以這個設備為核心，日本成為芯片製造領域的領軍人物，這個產品，現在叫“光刻機”。
1978年，在研究組的領導下，以富士通牽頭的第二研究院完成64KB DRAM的研發。日立率先將基於這一成果的產品推向市場，時間是1980年。
以此為標誌，日本半導體業從此開啓了“黃金時代”。
在DRAM產業化初期，1K的DRAM最早在1970年由英特爾（Intel）在美國開發完成，日本在1972年才研製成功。而16K DARM就變成了美、日在1976年同年研製成功。1978年，日本突破了64K DRAM生產，而美國在第二年才研製出來。
64K DRAM產品的推出，不僅讓日本一舉成為DRAM市場的全球佔有率第一，同時也標誌着日本領先美國進入了真正的“VLSI”時代。
04 一舉稱王1980年，研發組對外宣佈為期四年的“VLSI”項目取得階段性成果。
在接近四年的共同研發期間，研究組在日本及全球申請的實用新型專利和商業專利，達到1210件和347件，這些專利覆蓋了相關的集成電路的研發、生產等核心領域。
在部分難度大、風險高的研究內容上，研究組採用多個實驗室合力圍攻的方式，通過調動各參與單位的優勢資源來進行集中攻堅，這種方式也在一定程度上為各單位之間進行良性競爭創造了條件，從而為整個日本半導體供應量上的各個子項目、設備、材料等細分環節的研發，提升了一定的成功率。
另一方面，研究組的這一模式，成功消解了日本公司相對弱小、無法集中力量攻克研發難關的問題。這個模式中，通產省對研究組進行了規定和限制，即研究組主要的工作內容是合力開發基礎技術，而不涉及具體的公司產品的研發，即參與者實際上是多方合力開發基礎技術，最終將基礎技術應用到實際產品中，則是各成員各自對基礎技術的利用程度了。
這樣也保證了日本幾大公司可以在實際產品開發中，合理且公平的採用共同開發的基礎技術，在產品設計及應用階段，可以更深層次的對基礎技術加以優化，以繼續獲得對市場的競爭力，從而更好的開發市場。
也就是説，這一模式最大的作用之一就是在官方統一指導下，各成員能夠在一致對外的研發初衷與保持內部競爭優勢之間，達成了一種相對的平衡關係。
這種通過對各企業的技術整合，保證了研究組在執行“DRAM製法革新”國家項目過程中，DRAM最終的量產，也一舉奠定了日本在80年代中，對DRAM 市場的絕對領導地位。
1980年，成為日本半導體產業的第一個分水嶺，這一年除了日立64KB DRAM的上市，拉開了美國半導體產業最初的“噩夢”之外，還有另外一個標誌性的事件，那就是日本對美貿易中，半導體產業第一次出現了順差。
以1980年為例，日立投入市場的64KBDRAM，實際上最先在基礎技術上獲得突破的是富士康，但是在對基礎技術在產品中得以利用並實現市場化的，是日立。
1981年，上市僅僅一年多的日立，在64KBDRAM市場的佔有率，就達到了40%，居全球第一，第二的則是突破關鍵基礎技術的富士通，佔了20%；第三名則被NEC所佔據，市場佔有率為9%。
隨後，NEC主導了256KB DRAM時代，東芝主導了1MB DRAM時代。1984年，日本DRAM產業進入到一個絕對的技術爆發期。除了主導市場的NEC及東芝外，三菱甚至公開展出4MB DRAM的關鍵技術。
這一時期，日立生產的1MB DRAM內存，已經開始採用1.5um製程工藝來進行生產。到1986年，僅東芝一家，每月1M DRAM的產量就超過100萬塊，對於美國以及全球市場，造成了非常大的衝擊。
1980至1986年，日本企業的半導體市場份額由26%上升至45%，而美國企業的半導體市場份額則從61%下滑至43%，日本半導體產品的國際市場佔有率便超過美國，成為真正的全球第一。
此外，日本半導體產業的急速發展，也體現在了對於芯片的消耗量上，從1980年開始，日本國內的芯片消耗量一直處於增長狀態，在1984年達到那幾年間的最大值，到1985年，僅落後於美國，遠超過後面的歐洲。
在高科技產品的進出口方面，日本的出口已經超過進口。日本電子計算機在美國市場的佔有率由1980年的1%增加到1984年的7.2%，電子部件由3.2%上升到7.2%。
最先受到衝擊的是美國國家半導體（National Semiconductor），1981年，64KB DRAM產品虧損1100萬美元，而一年前，這個產品賺了5200萬美元。同時， AMD（AdvancedMicro Devices，超威半導體）利潤，相對上一年度，下降超過66%。
最嚴重的的衝擊，是對英特爾（Intel），英特爾連續6個季度虧損，虧損金額高達1.73億美元，這是英特爾上市以來的首個年度財報虧損，裁員超過7000人，被迫關閉7座工廠，甚至董事會都在討論是否關閉芯片產業。
此外，作為美國最大的64KB DRAM公司莫斯泰克（Mostek）靠着4KB和16KBDRAM，在70年代後期市場份額擴至超過8成，1985年，莫斯泰克被法國湯姆森（Thomson）收購，退出DRAM市場。
1985年IBM面臨財政危機，裁員1400人佔到員工總數的50%，不過依賴兼容機的發展，IBM挺過了這一輪危機，並把兼容機的微處理器訂單給了英特爾，從而解救了兩家公司。
也是這一年，英特爾退出自己一手締造的DRAM市場，以此為標誌，英特爾的退出造就了日本1985年取得全球80%的巔峯市佔率。
英特爾的創始人之一，芯片的發明者諾伊斯在退出時對媒體説道：“實際上我們並不想退出，因為不管怎麼説，英特爾在創立時的初衷都是生產存儲器的。”
以英特爾推出DRAM市場為標誌，半導體產業發展史上的第一次大規模的產業轉移形成，由美國到日本，日本成為了新的全球半導體龍頭。
參與研究組的五家公司，均上榜1985年全球十大半導體企業，直到2000年，東芝、NEC及日立均還在列。
1985年也成為日本半導體產業最為高光的一年，以半導體全球市場佔有率超過美國、DRAM市場佔有率超過80%為標誌，日本通過近5年集中力量研發基礎技術的方式，獲得了極大的收穫。
靠着政府和產業界大規模的投入，日本一步步抹平了在半導體領域和美國的技術差距。也是從這一年開始，美國加大了對日本半導體產業的制裁力度。
05 痛下殺手最先有動作的，其實是IBM。
1982年，IBM聯合FBI一起做局，對三菱和日立進行了制裁打壓。FBI的工作人員假扮IBM員工，有意將IBM公司的機密設計資料中的一部分透露給日立高級工程師林賢治，如獲至寶的林志賢表示還想以極高的代價，來換取更多資料。FBI釣魚成功後，FBI警員6名是日立和三菱電機的僱員逮捕，被控“非法獲取IBM的基本軟件和硬件的最新技術情報，並偷運至美國境外”。
這就是震驚世界的“20世紀最大的商業間諜案”，1983年2月，日立和兩名僱員在承認有罪的前提下，與IBM方達成和解；三菱電機也在同年10月，以公司總部無罪、兩名當事僱員有罪的條件取得和解。日立和三菱電機分別與IBM締結了技術使用費的支付合同，連帶富士通也在承認IBM著作權的秘密協議上籤了字。
日立、三菱及富士通接受美國派遣工作人員入駐企業，進行商業監督。
有意思的是，在1983年，IBM與日本的半導體企業達成和解後，美國商務部通過論證，得出了“對美國科技的挑戰主要來自日本，目前雖僅限少數的高技術領域，但預計將來這種挑戰將涉及更大的範圍”的結論，“維持及保護美國的科技基礎，是國家安全保障政策上生死攸關的重要安全因素”。
1984年，美國成立了關於半導體產業的知識產權委員會，該委員會的目的，是限制原創於美國的關鍵技術外流。可以説IBM對日本半導體企業發起的知識產權訴訟，從根本上推動了美國政府對待半導體技術的態度上的轉變，同時刺激了美國政府對於本國半導體技術的保護。
這一輪IBM代表的美國大獲全勝，雖然極大的打擊了日立、三菱電機及富士通，但是並沒有阻擋住日本半導體產業的持續發展。
伴隨企業間專利訴訟的，是美國政府的親自下台，一手操辦了對日貿易戰。
1985年，西方主要資本主義國家，在美國的廣場飯店，與日本共同簽訂了《廣場協議》，美國不斷地對美元對日元的匯率進行干預，致使最低曾跌到1美元兑120日元。在不到三年的時間裏，美元對日元貶值了50%，以此為標誌，日元開始了對美元的大幅度升值，日本開始陷入泡沫經濟。
《廣場協議》的簽署，拉開了美國對日最大規模的經濟制裁。
隨後，為獲得美國在税收上對半導體行業的支持，由諾伊斯帶領的英特爾牽頭、成立於1977年的遊説團體SIA（Semiconductor Industry Association，美國半導體行業協會），聯合了硅谷剩餘的其他半導體公司後的SIA，力量已經變得極為強大，而且在他們的身後，還有代表資本的華爾街、代表技術的硅谷的支持，這些條件使得SIA足以對抗日本半導體企業帶來的競爭，他們經過幾年的努力，將資本所得税税率從49%降低至28%，同時推動養老金進入風險投資領域。
不過，28%的税率，在面對日本政府給與的國內半導體企業的税收政策來説，還是沒有什麼優勢，優勢往往體現在市場的競爭力上。
1985年3月，戈爾巴喬夫上台，開啓了新一輪的改革，同時標誌着“冷戰”進入到了一個全新的時期：即蘇聯已全面落後於美國，蘇聯對於美國的威脅，已逐步減弱。日本作為美國對抗蘇聯在亞洲的政治戰略地位下降，貿易問題開始浮現，美國對日本政策開始出現轉折。
1985年6月，SIA決定通過輿論，引起美國社會關注，以在白宮門口砸索尼的收音機為標誌，這一決定的執行達到了高潮，SIA成功完成 “造勢”的目的，美國民間對於日本半導體產業發生了重大的變化。
隨後，SIA開始向美國商務部發起訴訟，起訴日本半導體產業不正當競爭，要求總統根據301貿易條款解決市場準入和不正當競爭的問題。並將矛頭直指日本政府，是日本政府的政策支持，使得日本半導體企業得以低價傾銷相關產品。鑑於對外國芯片業的依賴，可能對美國國家安全存在潛在的威脅，美國國防部和中央情報局支持這個起訴。
同時，為配合此次起訴，以及增加對日談判的籌碼，美國對外揭發了1983年東芝向蘇聯出口精密機牀的事件。
東芝向蘇聯秘密出口了用於製造潛艇的精密機牀，使得蘇聯對潛艇的製造技術得到提升，主要體現在靜音技術上。而東芝向蘇聯出口精密機牀的動作，雖然是單個企業的商業行為，卻違反了巴黎統籌委員會實施的對社會主義國家禁運和貿易往來規定，而日本正是締約方之一。
這起事件，上升到了國家政治層面的高度，同時也成為美國用於製造輿論的工具，之後幾個月的時間裏，美國“反日情緒”高漲。
為了獲得美國的“原諒”，以及其他歐洲盟國的理解，時任日本首相中曾根康弘不得不因為此事，代表日本向美國表示道歉，日本被要求在美國的50多家地方報紙上，刊登整版的“悔罪廣告”。
加上美國政府掌握了東芝與蘇聯交易的完整證據鏈，1987年日本通產省承認東芝違反巴黎統籌委員會協議，美國以此為根據，單方面對東芝作出制裁：
一、終止合約，1987 年美國國防部取消與東芝的 150 億日元計算機合同，並且將東芝從新的軍事合作候選中剔除；
二、相關人員引咎辭職，東芝機械社長、東芝董事長和總經理宣佈辭職；
三、限制市場準入，1988-1991年期間，美國國會禁止東芝產品進入美國市場。
對比東芝與蘇聯交易所造成的影響，該制裁結果並不對等，是典型的美國行使“長臂管轄”特權，對第三國商業公司及政府發起的單方面的制裁。該事件作為同時期日美半導體爭霸的談判籌碼，成為美國迫使日本在半導體行業領域做出妥協和讓步的壓力來源。
1986年初，美國商務部裁定日本存儲器存在不正當競爭、低價傾銷，對日本徵收100%反傾銷税。次年7月，美國玩起了心理戰，警告日本當月的31日，是最後的期限，如果不能完全達成協議，將會動用301條款。
可惜，即便當時的日本通產省和半導體產業界並不同意，產業界更是寧願被課以重税也不願意達成協議。但是日本的政治和軍事嚴重依賴美國，所以任何條件必須以維持美日同盟關係為底線。在7月31日，美國給出的截止時間前，日本政府不情願地接受了美國的條件，簽訂了為期5年的《日美半導體保證協定》，主要針對日本《電子工業振興臨時措施法》、《特定機械情報產業振興臨時措施法》等貿易保護法案展開，主要內容是：
一、日本需降低市場準入，協助外國半導體企業在日本的運營活動，包括宣傳、消費者溝通、銷售等工作。最重要的一點，逼迫日本提高外國半導體企業在日本市場份額至20%（之前外國半導體企業在日本市場份額不足10%）；
二、成立價格監督機制（FMV），美國擁有日本對美國出口產品反傾銷調查的權利，日本需嚴格管理出口產品的價格和成本；
三、禁止日本富士通收購美國仙童半導體。
從《協定》的簽署及實施來看，這意味着日本半導體企業被完全置於美日政府的共同監視之下，而美國政府又佔據着主導優勢。
但是，這一協定並沒有使美國得到他想要的。一方面，日本企業為了保持競爭優勢，不斷的集中力量，從技術和成本上開發更為具備競爭優勢的產品保證市場佔有。另一方面，美國企業在價格、品質管控等方面在這一時期並沒有追上日本，導致進入日本的美國企業並沒有獲得想要的市場份額。
因此，美國覺得這個協定還不夠，還需要更大的打壓。
1987 年 3 月，美國政府以日本未能遵守協議為由，就微機等日本有關產品採取了徵收 100%進口關税的報復性措施。1988 年美國通過“綜合貿易與競爭法”，再次祭出“超級 301”條款，使日本所有出口商品都處於美國貿易制裁風險之中。1989 年美國認定日本在大型計算機、衞星和林業產品方面封閉市場，動用“超級 301”條款進行調查。
1989年再次和日本簽訂《日美半導體保障協定》，要求日本開放半導體產業的知識產權、專利。1991年，日本的統計數據美國已經佔到22%，但是美國仍舊認為是20%以下，美國再次強迫日本簽訂了第二次半導體協議。
1995年，世界半導體企業前十中，NEC（第一）、東芝（第二）、日立製作所（第三）、富士通（第八）、三菱電機（第九），這一年也成為了日本半導體產業最後的餘暉，日本最終失去了這場戰爭。
1996年7月31日，第二次協議到期，美國已經在日本的半導體市場份額佔到了30%左右，在全球市場份額也在30%以上，而日本已經不足30%。
06 獨苗存世在通產省的主導下，日本半導體企業在2000年前後，進行了自救式的調整。
1999年，NEC和日立分別剝離旗下DRAM業務，成立了新公司爾必達（Elpida），2004年三菱電機的DRAM業務部門也被併入，自此，在1995年的全球十大半導體廠商排名中分別位列第二、第四和第九的三家日本半導體廠商的DRAM業務合併為新的公司爾必達。
但是這樣的重組，對於日本半導體行業來説，已經回天乏術。2012年2月28日，在美韓的聯手下，爾必達宣佈破產，意味着日立、NEC及三菱電機完全退出半導體市場。
2008年3月，富士通剝離半導體業務，成立子公司富士通半導體（Fujitsu Semiconductor），2012年10月1日，富士通半導體與松下系統（Panasonicsystem）的LSI部門正式宣佈將把旗下的大型集成電路設計、研發部門與後者合併，創建全新的合資公司。
至此，富士通通過持股新的合資公司，自身不再開展半導體業務。2019年10月1日，根據富士通半導體和聯電（UMC）兩家公司於2014年達成協議，聯電購買與富士通半導體所合資的12吋晶圓廠三重富士通半導體股份有限公司全部的股權，富士通退出晶圓代工。
2002年，在剝離了DRAM之後，NEC將全部的半導體業務剝離，成立NEC電子，自此，NEC不再擁有半導體業務。
2003年4月1日，日立製作所及三菱電機的半導體事業部合併，成立瑞薩科技，專注於手機、個人電腦周邊、汽車與消費電子市場系統解決方案。
2010年4月，NEC電子和瑞薩科技合併，重組為瑞薩電子，日立、三菱電機退出半導體市場。
日本半導體行業最後的希望，僅剩下了瑞薩。
2012年12月，日本製法革新機構向瑞薩注資1400億日元，同時，豐田、日產、佳能及松下等八家公司，共同向瑞薩注資100億日元，瑞薩成為日本政府機構控股、整合了日本主要汽車、消費電子等大型企業的巨型企業。
2017年2月25日，瑞薩完成對Intersil的收購。這筆32.19億美元的收購，瑞薩將獲得Intersil的創新型電源管理及精密模擬解決方案，將在智能化、移動化和高耗電的電子設備，不足電源管理領域的不足，同時將業務從汽車電子、消費電子，進一步擴展到工業與基礎設施、移動計算和航空航天等領域。
在合併前，兩家公司都對外宣稱，雙方的主要業務重疊性非常低，這意味着雙方合併的業務互補性是非常高的。
2020年年初的新冠疫情，連帶的全球性半導體產業的產能不足及漲價潮，將瑞薩再一次推到了前台。2019年，瑞薩以超過17%的市場佔有率，高居中國單片機（MCU）市場的第一位，排在他後面但是被NXP收購後的飛思卡爾。
在瑞薩的總營收中，汽車電子業務約佔四成，從統計機構數據來看，全球汽車半導體增長較快的領域將是新能源汽車與自動駕駛領域。而在中國市場，新能源汽車已經成為政策、市場及資本的共同選擇，瑞薩在電機控制MCU和IGBT領域，在新能源汽車領域都非常有優勢。
在飛思卡爾被NXP收購之前，瑞薩的微控制器（MCU）銷售額遙遙領先第二名，根據市場調研機構IHS的數據，在家電領域，瑞薩電子MCU全球市佔率達到40%，在工業自動化領域，瑞薩電子芯片（包括MCU、ASIC/ASSP和MPU）市佔率達到23%，也是市場第一。
2019年3月30日，瑞薩完成對IDT（IntegratedDevice Technology, Inc.）的收購，通過對IDT的收購，瑞薩獲得了在射頻（RF）、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互連、無線電源以及智能傳感器方面的補足，與瑞薩的微控制器、片上系統（SoC），以及收購Intersil獲得的電源管理芯片相互補，瑞薩可打造更為全面的解決方案。
這也進一步鞏固瑞薩電子在汽車、工業/物聯網和數據中心/通信基礎設施等市場中的領先地位。瑞薩藉助IDT在數據處理及模擬/混合信號領域的技術優勢，進一步切入到通信、計算、消費和工業領域。
2月8日，瑞薩表示，正在洽談收購總部在英國的戴樂格（Dialog Semiconductor）。其中瑞薩將擬以每股67.5歐元的價格收購戴樂格全部發行的流通股，收購金額預估將達到約60億美元，較戴樂格2月5日上週五收盤價56.12歐元溢價20%，且收購將以全現金的方式進行。
該收購將等待戴樂格董事會的審核，也可能會面臨監管，但是可以肯定的是，瑞薩此舉是想通過對戴樂格的收購，擴張在用於處理聲、光和温度等信號的模擬芯片市場份額。
在這次收購信息公佈之前，瑞薩與戴樂格才於2020年8月擴大合作，在汽車計算平台方面進行全面合作。
從瑞薩的核心領域汽車芯片來看，汽車芯片主要分為三類：第一類負責算力，比如自動駕駛系統以及發動機、底盤和車身控制等；第二類負責功率轉換，比如電源管理和接口通信等；第三類是傳感器，多用於控制汽車雷達、氣囊、胎壓檢測等。
瑞薩在汽車電子領域的地位，在2012年豐田、本田等日本車企巨頭注資，其實就可以看出端倪，而那次注資中，還有佳能、松下等消費電子巨頭，這些日系公司，成為瑞薩的基本盤，而中國汽車生產的發展，進一步給瑞薩帶來新的機會。
瑞薩的競爭對手NXP，在收購飛思卡爾後，擴大了在美國汽車市場的優勢，歐洲汽車市場，還有英飛凌（Infineon Technologies）、ST，這兩家主要市場是歐洲汽車市場。也就是説，在全球主流汽車市場，瑞薩、NXP及英飛凌的三巨頭的格局，暫時還比較穩定，最大的變局來自於對中國市場的把握。
圖片來源：OFweek整理
而瑞薩通過數輪的收購，完成了對自身業務的補充和市場的擴展，在爾必達被收購後，作為日本半導體產業僅存的碩果之一的瑞薩，在未來的嵌入式設計和半導體解決方案供應商中，瑞薩在微控制器、模擬功率器件和SoC產品方面，將延續日系半導體的血脈麼？