韓國唯一一家純晶圓代工公司啓方半導體(Key Foundry) 宣佈，該公司已成功開發出面向汽車半導體應用的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝，年內就將全面投入量產。
五年多來，啓方半導體藉助第一代0.13微米嵌入式閃存技術，不斷推進微控制器(MCU)、 觸控(Touch)和自動對焦(Auto Focus)等各種消費類應用產品的量產。最新開發出的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝適用於汽車零配件，完全符合AEC-Q100可靠性1級標準。AEC-Q100是一項針對汽車應用的集成電路(IC) 可靠性測試認證。要獲得1級認證，該IC產品必須在高達125攝氏度的極端温度下，正常運轉10年以上，同時還要確保所有閃存的數據完好無損。憑藉其深厚的專業積累，以及取得專利的側壁選擇性晶體管單元(SSTC)結構所突顯的強大特性，啓方半導體將糾錯碼(ECC)內存添加到嵌入式閃存IP中，成功開發出一種嵌入式閃存技術，並通過了各項AEC-Q100 1級測試。這種設計上的改進提高了該技術的閃存可靠性，成為汽車 電子應用的理想之選。
啓方半導體的一家韓國客户率先將這項新工藝應用到交通收費應答器的MCU產品上。啓方半導體自行設計的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產品級別測試的產品，今年啓動全面量產。這是第一款採用啓方半導體嵌入式閃存工藝的汽車應用產品。據該公司預計，該產品的成功開發將有助於把這項技術的應用範圍擴展到觸控IC、無線充電IC和其他各種汽車產品。
與第一代工藝相比，第二代技術在可靠性和成本競爭力上均有明顯提升，預計將廣泛應用於包括MCU、觸控和自動對焦在內的各種消費類應用。此外，在與BCD工藝（雙極型-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體工藝）相集成後，為各類電源產品帶來了合適的解決方案，例如USB Type-C PD（USB C型電源通信協議）、電機驅動IC或無線充電IC等。第二代技術的應用場景有望進一步擴大到具有超低漏電工藝選項的低功耗物聯網產品。
繼0.13微米的第一代和第二代技術之後，啓方半導體目前正在開發0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足客户日益追求更高存儲密度的需求，該公司打算大幅縮小閃存單元的尺寸，打造出存儲密度高達4Mbits的閃存IP。