存儲器在全球半導體市場中，有着舉足輕重的作用，需求量在眾多芯片中排名第一，但壟斷卻最為嚴重，多年來一直被美韓企業牢牢把持在手中。存儲器的技術難度雖不算最高，然而，由於我國起步較晚，很長時間以來只能依賴進口。
直到2016年，我國才開始在存儲器領域的攻堅克難。為實現中國信息安全自主可控，在紫光集團與國家集成電路產業基金等多家基金、投資機構的聯合下，“國家存儲基地”項目轟轟烈烈地開展開來。其一期項目斥資1700億元，於2017年開啓建設。
如今，僅僅過去了四年的時間，我國國產閃存芯片便迎來曙光，打破了日韓企業的壟斷。32層3D NAND閃存、64層堆棧閃存技術等，被相繼拿下。目前我國雖與美韓企業還有着一代的距離，但已經實現了從無到有，從有到優質的跨越式進步，可喜可賀。
而在今年6月，國家存儲基地二期工程也有序展開。這一次，國家再投1700億元，於武漢東湖高新區正式開工。此舉標誌着我國在芯片國產化上又前進了一步，本次的主要目的是擴大產能，目標為3D NAND芯片月產能達20萬片。3D NAND芯片是當前最主流的閃存芯片，重要性不言而喻。
在二期工程建成後，我國存儲器的地位將進一步提升，值得期待。更值得注意的是，在今年4月，國家存儲基地還實現128層堆棧閃存的攻克，全球首款128層三維閃存芯片便從其手中誕生。其直接跨過了96層堆棧閃存，進一步追平了與美韓巨頭之間的差距，表現令人驚異。
除長江存儲國家存儲基地外，長鑫存儲與福建晉華也是我國存儲芯片領域的主力軍。目前，我國存儲芯片企業正加快佈局，加大投產，致力於形成規模效應。長江存儲所着力的NAND flash芯片，與長鑫存儲與福建晉華正着力發展的DRAM，都是當前業界主要的存儲芯片種類，有着十分關鍵的地位。
筆者相信，隨着這些企業的不懈努力，我國在存儲芯片領域將逐漸能與行業巨頭同台競技，儘早實現我國信息安全自主可控。目前，我國是半導體產品的需求大國，但卻有大片的市場空白，還需進一步努力。
對於我國存儲芯片的發展，你怎麼看呢？