從HBM存儲器到3D NAND芯片，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”並翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過的芯片和允許在它們之間垂直互通。在本文中，我們將告訴您它們是什麼，它們如何工作以及它們的用途。
在硬件世界中，經常用與速度有關的術語來談論它，即是否是內存的帶寬，處理器的時鐘週期，處理器每秒執行某種類型的計算的次數等等，但是我們很少問自己這些芯片如何相互通信以及這是否重要。
在本文中，我們將討論一種稱為TSV的技術，該技術可用於相互通信的芯片。
什麼是硅或TSV通路？
如果我們看大多數主板，可以看到兩件事：第一，芯片之間的大多數連接都是水平的，這意味着板上發送芯片間信號的路徑是水平通信的。
PCB
然後是CPU的情況，這些CPU放置在我們稱為插座的插入器的頂部，並且處理器在這些插入器上垂直連接。
SocketCPU
但是通常，在99％的時間中，我們觀察到通常沒有相互垂直連接的芯片，儘管事實上芯片和處理器的設計朝着這個方向發展，並且市場上已經有這種類型的示例。但是，如何使兩個或更多芯片垂直互連？
TSV
好吧，正是通過所謂的硅通道來完成的，硅通道垂直穿過組成堆棧的同一芯片的不同芯片或不同層，這就是為什麼它們被稱為“通過”硅通道，因為它們實際上是通過的。
使用TSV的應用和優勢
TSV的應用之一是，它允許將由不同部分組成的複雜處理器分離在幾個不同的芯片上，並具有以下附加優點：垂直連接允許更多數量的連接，這有助於實現更大的帶寬，而無需額外的帶寬。很高的時鐘頻率會增加數據傳輸期間的功耗。
例如，在將來，我們將看到CPU和GPU的最後一級緩存將不在芯片上，它們具有相同的帶寬，但存儲容量卻是原來的幾倍，這將大大提高性能。我們也有使用FSV來通信Lakefield SoC的兩個部分的Intel Foveros示例，即帶有系統I / O所在的基本芯片的計算芯片。
LakefieldFoveros
將處理器劃分為不同部分的原因是，隨着芯片的變大，電路中錯誤的可能性越來越大，因此沒有故障的優質芯片的數量會增加。他們可以使用的更少，而那些做得好的人必須支付失敗者的費用；這意味着從理論上減小芯片的尺寸會降低總體成本，儘管稍後我們將看到情況並非完全如此。
HBM-vs-GDDR
第二個應用程序與佔用的空間有關；能夠垂直堆疊多個芯片的事實大大減少了它們佔用的面積，因為它們不會散佈在板上，其中最著名的示例是將HBM內存用作某些圖形處理器的VRAM，但是我們還有其他示例，例如三星的V-NAND存儲器，將多個NAND閃存芯片彼此堆疊。
3DNAND
其他鮮為人知的選擇是邏輯和內存的組合，其中內存位於處理器的頂部，最著名的示例是寬I / O內存，這是幾年前出現在智能手機中的一種內存，包括SoC頂部的存儲器通過硅互連。
為什麼採用硅途徑如此緩慢？
TSV存在一些固有的問題，這意味着儘管數十年來在紙上是一種非常有前途的技術，但它並沒有完全普及，仍然是一種為很小的市場生產芯片但利潤率很高的方法。
他們的第一個問題是，要實施一項極其昂貴的技術，需要對許多公司的生產線進行深刻的變革，這些公司多年來一直在生產沒有TSV的芯片，並且對於許多應用而言，傳統的製造工藝已被證明是足夠好的。
第二個問題是，如果組成垂直結構的一部分完全失效，則必須丟棄整個結構，這會使通過TSV互連的系統製造起來更加昂貴。HBM內存的示例在這方面意義重大，其成本如此之高，以致無法用作消費市場的內存。
第三個問題是熱阻塞，芯片在某些温度條件下達到其時鐘速度，如果附近有另一個也會發熱的芯片會受到影響。例如，我們可能有兩個處理器，每個處理器分別達到1 GHz，但由於温度問題，垂直放置在TSV結構中的每個處理器只能達到0.8 GHz。
這是當今工程師最關心的第三點，並且正在開發冷卻機制，以使構成堆棧的芯片保持儘可能低的温度，以避免熱淹沒問題。