中國一站式 IP 和定製芯片企業芯動科技(INNOSILICON)今天發佈:已完成全球首個基於中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的芯片流片和測試,所有 IP 全自主國產,功能一次測試通過。
據獲悉,官方介紹稱,自 2019 年始,芯動在中芯 N+1 工藝尚待成熟的情況下,團隊投入數千萬元設計優化,率先完成 NTO 流片。基於 N+1 製程的首款芯片經過數月多輪測試迭代,助力中芯國際突破 N+1 工藝良率瓶頸。
芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產 IP 生態共建的合作,為大量國內和全球客户實現從成熟工藝(55nm、40nm、28nm、22nm 等)到先進工藝(如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等)的不斷跨越,在各先進工藝中規模 IP 授權和定製批量生產高端 SOC,包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先進技術規模量產。
【來源:IT之家】【作者:騎士】