IT之家 5 月 9 日消息 據中國科學技術大學網站，中國科大郭光燦院士團隊在微波諧振腔探測半導體量子芯片上取得重要進展。
該團隊郭國平、曹剛等人與本源量子計算有限公司合作，利用微波超導諧振腔實現了對半導體雙量子點的激發能譜測量。相關研究成果以“Microwave-resonator-detected excited-state spectroscopy”為題，發表在 4 月 28 日出版的國際應用物理知名期刊《Physical Review Applied》上。
據介紹，半導體系統具有良好的可擴展可集成特性，被認為是最有可能實現通用量子計算的體系之一。近年來硅基半導體量子計算取得系列進展，量子比特性能得到大幅提升，單比特和兩比特邏輯門保真度均已達到容錯量子計算閾值，如何進一步擴展比特數量、提高比特讀取保真度成為該領域的重要議題。
電路量子電動力學以微波光子為媒介，不僅可以用來實現比特間長程耦合，還可以用於對比特的非破壞性、高靈敏探測，是量子比特擴展和讀出的一種重要方案。該工作中研究人員製備了鈮鈦氮微波諧振腔 - 半導體量子點複合器件，利用鈮鈦氮的高阻抗特性大幅提高了微波諧振腔與量子比特的耦合強度，達到強耦合區間。進一步通過在器件上施加方波脈衝驅動電子在量子點的不同能級間躍遷，並利用高靈敏微波諧振腔讀取出躍遷信號。利用該技術，課題組表徵了雙量子點系統的能級譜圖，特別是利用信號對不同能級的響應特性，給出了系統的自旋態佔據信息。
此前，郭國平研究組於 2021 年 2 月在《Science Bulletin》上報道的工作展示了利用微波諧振腔實現半導體兩量子比特長程耦合，並開發了新的譜學方法快速表徵系統的耦合參數。在此研究基礎上，此次利用微波諧振腔對量子比特能級譜和自旋態的高靈敏測量，為將來實現半導體量子比特的高保真讀出提供了一種有效方法。
▲圖 (a) 半導體量子點 - 微波諧振腔複合器件的電子顯微鏡示意圖。紅色方框是多個金屬電極控制的半導體雙量子點，藍色線條標出的是微波諧振腔。圖 (b) 微波諧振腔探測的雙量子點激發態幅值譜 | 圖源：中國科學技術大學網站
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