華為和臺積電的晶片合作從28nm晶片就開始了，在長期的合作中，華為和臺積電已經構建起了互相信任的合作關係，華為已經成了臺積電營收的重要來源。雖然華為已經成為晶片設計領域的巨頭，但是要想在晶片綜合性能上戰勝高通，不得不選擇臺積電最先進的工藝製程才能力壓高通晶片一頭，因此選擇臺積電的先進工藝也成為了華為戰勝高通必然選擇。
眾所周知，臺積電的最新工藝正在向2nm晶片製程進軍，而2nm晶片已接近矽基晶片的物理極限，也就是說進入2nm後，晶片製程的進步將進入停滯狀態，無法再進步了。這就要求臺積電、三星等半導體晶片製造廠商研發新的技術以尋求晶片的進步，目前全球公認的下一代晶片製造替代材料就是石墨烯、碳基半導體材料。也就是說誰能找到新的晶片製造方法，誰就能獲得未來晶片製造的主動權，誰就能在未來賺得盆滿缽滿。
而對我國來說，雖然我國這幾年晶片的製造技術突飛猛進，進步很快，中芯國際已進入了12nm晶片製造，但是受限於EUV光刻機的限制，要想再進一步勢比登天。在光刻機領域，我國只能製造出90nm的光刻機，按照上海微電子傳聞中的最新工藝也只能製造28nm的晶片，即使使用多重曝光技術，最多也只能進入12nm晶片製造，相對於世界先進半導體制造的差距是20年左右，隨著美國對我國半導體裝置的限制的進一步升級，7nm以下晶片的製造更是遙遙無期。
如何在矽基晶片上突破美國半導體技術和裝置的限制，已經成為了擺在中國半導體產業面前不可逾越的難題，否則我國的晶片製造業將永遠受制於人。那麼要想突破這一瓶頸，我們唯一的途徑只能謀求換道超車。而近日傳來了一個好訊息，有可能讓中國晶片製造技術有可能實現彎道超車，華為也不用再擔心美國的晶片斷供了，中國晶片製造將有可能徹底擺脫荷蘭EUV光刻機的制約。
5月26日是個值得紀念的好日子！就在這一天北京碳基積體電路研究院宣佈，中國科學院院士彭練矛和張志勇教授的基於碳基奈米管晶體晶片的研發團隊，經過20多年的潛心攻關，終於不負眾望在新型碳基半導體材料的製備上取得重大突破，不僅突破了碳基半導體材料的製備技術瓶頸，而且在全球率先實現了碳基奈米管電晶體的製備工藝突破。這意味著該研究院將打破傳統的矽基半導體再造瓶頸，晶片將進入碳基晶片時代，同時不但解決了碳基材料的純度、密度、面積等難題，也使得碳基晶片的製造成本更低、功耗和更小，效率更高。
在5月26日的記者見面會上，彭練矛教授還披露，如果手機使用同等柵長的矽基晶片看電視只能使用3小時的話，那麼使用同等柵長的碳基晶片就可以連觀看9小時。這意味著碳基晶片有望將傳統的二維矽基晶片升級到三維碳基晶片，執行速度提升3倍以上，有望很快在手機和基站上使用。
據彭練矛院士透露，2年前研究院的實驗生產線就已經制造出了4吋5微米柵長的碳基晶片，相當於當時的28nm矽基晶片工藝。而今年再次釋出的碳基晶片比2年前同等柵長的晶片綜合性能上提升了10倍以上，已基本上具備了碳基晶片規模化製造的基礎，已經可以和前端射頻期間廠家對接，目前研究院正在和華為等國內廠商技術對接。
目前我國碳基晶片關鍵技術全球領先，彭練矛研發團隊建議，我國應該充分抓住技術領先的時間視窗，率先實現新技術新工藝的產業化，抓緊改變我國的晶片製造的落後狀態。而且彭練矛團隊的碳基晶片製造技術還可以相容矽基晶片製造技術，因此該技術成果對於我國晶片再造換道超車具有重要的意義。
目前，中美之間的華為戰爭正處於膠著狀態，該研究院碳基半導體技術的重大突破，意味著我國將改變對美國半導體技術和裝置的過度依賴，成功在碳基半導體制造技術領域實現換道超車，華為從此也不用再擔心美國晶片的斷供了，華為或將成為我國碳基晶片技術突破的最大贏家。