AGC追加投資NCT加速6吋氧化鎵晶圓開發，目標2023年量產

CINNO Research產業資訊，AGC宣佈增加對下一代功率半導體材料開發公司——Novel Crystal Technology的投資。NCT目前開發、製造和銷售4英寸的氧化鎵晶圓，擁有全球近100%的市場份額。透過AGC對NCT的追加投資，將會進一步加快研究開發速度，以便在2023年實現氧化鎵晶圓的實際應用。

功率半導體是內置於伺服器、汽車、工業機械和家用電器等各種各樣的電氣和電子裝置中的控制電力的電子元器件。功率半導體的效能，與電力控制模組的節能化、輕便化、小型化息息相關，為了減少電力損耗，需要尋求比矽材料具有更優異耐電壓性和大電流特性的半導體材料。

與矽相比，氧化鎵是下一代功率半導體材料，功率半導體效能指數*1在矽的3000倍以上。與其他備選材料SiC（碳化矽）和GaN（氮化矽）相比，氧化鎵可以更好的用於高壓和大電流中，所以備受關注。AGC在2018年投資NCT開始聯合技術開發。NCT的尖端技術，結合AGC在玻璃生產中的高溫溶解、拋光和清潔等無機材料量產技術，能夠早日實現氧化鎵的大規模生產。迄今為止，NCT已經擁有成功開發出4英寸氧化鎵（見左上圖）的大規模量產技術，於是AGC決定向NCT公司追加投資，以進一步實現更高質量和更大尺寸的晶圓生產。

根據AGC Plus的經營方針，AGC集團將電子業務定位為戰略業務之一。AGC將繼續積極開發和投資未來需求旺盛的半導體相關業務，為半導體行業的發展作出貢獻。

*1：Baliga效能指數，矽是1時，氧化鎵被推斷是3444。具體請確認下文圖表。

關於Novel Crystal Technology公司

Novel Crystal Technology成立於2015年6月，是從TAMURA製造研究所分離出來的，與國立研發法人資訊與通訊技術研究所（NICT）的技術轉讓合併成立的公司。NCV開發、製造和銷售功率半導體材料，包括氧化鎵單晶基板和外延晶片，以及功率器件的開發。2017年11月，與TAMURA製造公司合作，成為世界上第一個使用氧化鎵外延膜，成功研製出溝槽MOS功率電晶體的公司。今後將繼續引領世界，致力於解決氧化鎵的功率半導體實際應用問題。

關於下一代半導體材料的物理特性

Baliga效能指數越高，元件驅動時開啟的電阻越小（下圖）

【來源：CINNO】

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