IT之家6月22日訊息 根據長江儲存官方的訊息，由長江儲存實施的國家儲存器基地專案二期（土建）於6月20日在武漢東湖高新區開工。
據介紹，長江儲存國家儲存器基地專案由紫光集團、國家積體電路基金、湖北省科投集團和湖北省積體電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND快閃記憶體晶片工廠。專案一期於2016年底開工建設，進展順利，32層、64層儲存晶片產品已實現穩定量產，併成功研製出全球首款128層QLC三維快閃記憶體晶片。
在開工儀式上，紫光集團、長江儲存董事長趙偉國介紹了專案有關情況。他表示，國家儲存器基地專案一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的儲存器晶片工廠，實現了技術水平從跟跑到並跑的跨越。
IT之家曾報道，4月份，長江儲存科技有限責任公司宣佈其128層QLC 3D NAND 快閃記憶體（型號： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端儲存產品上透過驗證。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體，長江儲存X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積儲存密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 快閃記憶體晶片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫效能和1.33Tb高容量。