我國超高精度激光光刻技術取得重大突破 實現完全自主

　　據報道，近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子暘研究員與國家納米中心劉前研究員合作，開發成功新型5nm超高精度激光光刻加工方法。該技術使用了研究團隊所開發的具有完全知識產權的激光直寫設備，打破了傳統激光直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，極大地擴展了激光直寫的應用場景。

　　亞10nm的結構在集成電路、光子芯片、微納傳感、光電芯片、納米器件等技術領域有着巨大的應用需求，這對微納加工的效率和精度提出了許多新的挑戰。然而，長期以來激光直寫技術很難做到納米尺度的超高精度加工。此次中國研究團隊很好地解決了高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子芯片、微機電系統等眾多微納加工領域展現了廣闊的應用前景。

　　相關上市公司：

　　清溢光電：主要採用激光直寫法生產集成電路掩膜版，客户包括中芯國際等；

　　蘇大維格：研發成功紫外激光直寫光刻關鍵技術、軟件和裝備，處於國際領先地位。公司在互動平台表示，與中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所有項目合作。