楠木軒

東芯股份 穩健發展嶄露頭角 順勢而為築夢中國芯

由 太史憶秋 發佈於 財經

12月10日,伴着清脆的鑼鳴之音,東芯股份(688110)正式登陸科創板,A股存儲芯片再添新軍,是身為民營企業服務國家戰略的又一成功典範。東芯股份此次募資所投1xnm 閃存產品研發及產業化項目、車規級閃存產品研發及產業化項目和研發中心建設項目,將加速國產儲存芯片高端化進程。

近年來,國際貿易摩擦不斷升級,部分國家不僅通過貿易保護手段,限制我國芯片發展,甚至通過國家力量打壓、制裁我國科技企業,把技術掌握在自己手中迫在眉睫。國內存儲芯片市場需求巨大,但嚴重依賴於進口,國際存儲巨頭長期佔據市場主導權,國產化率佔比低微。

東芯股份成立於2014年11月,一直致力於國產芯片,在快速成長中不斷助力加速國產替代。通過實現NAND Flash產品從無到有的突破,再發展為一家產品覆蓋NAND、NOR、DRAM全品類存儲芯片的芯片設計公司,填補多項國內空白,打破國際壟斷,並在國際市場嶄露頭角。

芯片行業屬於技術密集行業,持續發展離不開長期資本的引領和催化,東芯股份通過本次募集資金,將為其在行業中提供更好的產品設計能力、技術研發實力、先進生產裝備和良好服務提供強大助力,“東方之芯 國人之夢”可期。

穩健發展進入國內外知名企業供應體系

NAND Flash、NOR Flash 和 DRAM 為存儲芯片的主要產品,三星電子、海力士和美光科技等行業巨頭佔據了多數的市場份額。公司憑藉多年的研發積累和深厚的技術積澱,在中小容量市場擁有了國內領先的閃存芯片設計能力,同時公司也是國內極少數可提供 DRAM 產品的芯片設計公司。

技術是企業不斷髮展的基礎。東芯股份截至 2021 年 6 月,公司研發人員佔總員工比例達到 42.61%,並擁有超過 10 年以上在行業知名公司工作經歷的研發人員共 63 人,多數曾在行業頭部企業供職,具備豐富的研發經驗和前瞻的戰略眼光。公司擁有境內外專利 82 項,核心技術包括 6 項 NAND Flash 相關技術、2 項 NOR Flash相關技術以及 1 項 DRAM 相關技術。

憑藉強大的研發設計能力和自主清晰的知識產權,公司設計研發的 24nm NAND、48nm NOR 均為我國領先的閃存芯片工藝製程,已達到可量產水平,實現了國內存儲芯片的技術突破。先後獲得 “第七屆中國電子信息博覽會創新獎”、“2020 年度中國 IC 設計成就獎之年度最佳存儲器”、“2019 年度上海市‘專精特新’中小企業”等榮譽稱號。

穩定可靠的供應鏈體系是企業穩健經營的根基。東芯股份採用Fabless模式經營,打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應鏈體系, 在晶圓代工端,公司已經與大陸最大的晶圓代工廠中芯國際建立了戰略合作關係,並與全球最大的存儲芯片代工廠力積電建立多年緊密合作。在封測方面,公司已經與紫光宏茂、華潤安盛、南茂科技、AT Semicon等境內外知名芯片封測企業建立緊密合作。

目前,東芯股份的產品以低功耗、高可靠性為特點已經在高通、博通、聯發科、紫光展鋭、中興微、瑞芯微、北京君正、恆玄科技、等多家廠商獲得認證。同時,東芯股份的產品已經進入三星電子、海康威視、歌爾聲學、傳音控股、惠爾豐等國內外知名客户的供應鏈體系,被廣泛應用於通訊設備、安防監控、可穿戴設備、移動終端等產品。

下游市場需求上漲企業成長空間巨大

存儲芯片是電子信息領域的重大戰略性支柱產品,是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品之一。受益於可穿戴設備 / 物聯網、網絡通信、監控安防等下游應用的繁榮發展,存儲產業成長迅速,並隨着更多新興應用而帶來更大的增長空間。

5G 基站建設加速,存儲芯片需求持續增長。5G 通訊設備、物聯網都需要高速且穩定可靠的存儲芯片作為各類數據站點,中小容量 SLC NAND在性能穩定性上具有明顯的優勢。根據中國三大運營商2020年的建站計劃,估計全球60%乃至70%的5G基站會在中國建成,對SLC NAND Flash和NOR Flash的需求不僅在於容量要更大,數量也在增加。

物聯網市場爆炸式增長,低成本、低功耗存儲芯片成首選。對於可穿戴設備來説,人們不僅希望它能流暢的運行各種應用,採集和感知各種人類運動和生理的數據,還要足夠省電。所以對於物聯網硬件設備來説,高能效、低功耗、小尺寸這幾點都會是這類設備和芯片的未來發展方向。穿戴式設備已經不僅僅是使用NOR flash,以手環為例的產品也開始使用SPI NAND Flash。

汽車電動化與智能化,高容量 NOR Flash優勢明顯。近年,電動汽車和智能駕駛發展迅猛,相應的輔助駕駛系統 ADAS、電池管理系統等被廣泛應用,高容量 NOR Flash 由於其 XIP 的特性及高可靠性等特點,在汽車電子中被廣泛應用。同時,疊加配套器件如行車記錄儀等帶動的需求,預計該領域將帶動 NORFlash、SLC NAND Flash 保持 10%以上的複合增長。

SPI NAND Flash讓智能監控安防傳輸更快、畫面更清晰。隨着整個視頻監控行業正在追求更快的網絡化、更高的清晰度,存儲器被提出嚴格的要求。3.3v 、128Mb 的NOR Flash全面轉入到1GB的SPI Flash,數量和容量都在加大,並將隨着智能監控安防的應用滲透而持續上升,東芯股份目前最大容量的客户配置達到了4GB 的SPI NAND Flash。

東芯半導體是目前國內少數同時提供NOR Flash、NAND Flash和DRAM三種產品系列存儲器的本土設計公司。在NOR Flash領域,集中做低功耗產品,主要應用於智能穿戴市場。在NAND Flash領域,提供SPI或PPI兩種類型接口,主要運用在宏基站、微基站、光貓、Wi-Fi6、監控、安防市場。在NAND MCP領域,產品主要應用於手機、基帶。DRAM產品包括標準DDR3(L)產品和低功耗的LPDDR1/2產品等。

隨便着中小容量存儲芯片需求爆發,可以預見公司的業務規模將持續攀升,公司在存儲芯片領域的行業地位將得到進一步的鞏固和提升。

專注企業優勢築夢中國芯

目前,國內存儲芯片市場需求巨大,但嚴重依賴於進口,國產芯片的重要性凸顯。東芯股份結合自身技術特點和市場需求,與行業領先企業形成差異化競爭,在不斷精進技術的同時專注於細分市場並實現填補和替代效應。

存儲芯片行業一直由頭部廠商三星電子、美光科技、海力士、鎧俠、西部數據等寡頭壟斷。受益於國內產業鏈的整合,以及國內中小容量存儲市場的快速增長,東芯股份在國產替代領域處國內技術領先地位,但與國際龍頭廠商存在差距。

科創板設立的主要目的是增強資本市場對實體經濟的包容性,更好地服務具有核心技術、行業領先、有良好發展前景和口碑的企業。公司所處行業屬於技術密集行業,持續發展離不開長期資本的引領和催化,此次在科創板上市,充分體現出東芯股份的雄心壯志。

此次,公司募資項目,1xnm 閃存產品研發及產業化項目和車規級閃存產品研發及產業化項目是基於公司現有產品進一步迭代和升級,研發中心建設項目系基於公司現在主營業務與核心技術,就新技術的創新突破和新產品前瞻佈局為主要研究方向。上述項目的建成,是東芯股份踐行“東方之芯 國人之夢”理念的又一見證。