5月9日，房晉用他剛用不久的華為P40手機，換取了一臺低端機——榮耀Play4T。
房晉這樣做，只因榮耀這臺手機的移動晶片，由中芯國際完成晶片代工製造環節，工藝用了14nm製程。
可以說，這款移動晶片“麒麟710A”，實現了國產化零的突破，是中國半導體晶片技術的破冰之舉。
《科創板日報》記者從中芯國際獲悉，5月9日，中芯國際上海公司，幾乎人手一臺榮耀Play4T，其與華為商城線上出售的同款手機不同之處在於背面的logo——SMIC 20和一行特意註明的文字：Powered by SMIC FinFET。
這是一款中芯國際成立20週年晶片技術整合終端。
此前，業界盛傳華為推出了麒麟710A入門級手機移動晶片，由中芯國際代工，製程14nm。但無論是華為還是中芯國際，都沒有正面回應或承認此項傳聞。
5月9日，中芯國際員工和業內人士拿到的這款移動終端，表明中芯國際14nm FinFET代工的移動晶片，終於真正實現規模化量產和商業化。
此前，華為手機移動終端晶片都由海思完成設計環節，之後交由臺積電代工製造。
去年5月16日美國啟動針對華為的技術禁令，臺積電是美國尤其想“攻克”的關鍵環節。
2020年以來，一直有傳聞稱美國對華為的技術禁令很可能再次升級：其將修改出口管制規定，將半導體元器件供貨者應用源自美國技術的比例，從不高於25%的要求，降至10%，而臺積電14nm生產線所採用的技術，源自美國的佔比超過了10%。
一旦美國新版出口管制規定生效，臺積電將無法再給海思代工晶片製造，則華為終端將遇到巨大障礙。
一位要求匿名的晶片研發工程師對《科創板日報》記者說，“如果真如此，華為海思就失去立足之本，不再能提供任何晶片。”
之前關於此款手機所用晶片的傳聞，業內解讀為應對美國技術禁令。在低端終端晶片領域，看來確實已能實現國產化替代。
《科創板日報》記者注意到，麒麟7系列的首款晶片是麒麟710，於2018年7月在華為釋出的Nova 3i手機搭載出現，由臺積電代工，製程工藝12nm，主頻2.2GHz，八核。
榮耀Play4T搭載的純國產移動晶片麒麟710A，中芯國際代工，14nm製程，主頻2.0GHz，屬於麒麟710的降頻版。
若只看效能，麒麟710無疑不是當下主流，製程工藝落後，主頻也低，CPU跑分僅60948分，超越9%的使用者。
但其意義非凡，從晶片設計、代工到封裝測試環節，全部實現國產化，具有完全國產智慧財產權。
“這是從0到1的突破。”一位國內晶片技術巨頭公司晶片工程師對《科創板日報》記者說。
5月9日深夜，一群半導體行業人士圍著中芯國際員工頻頻發問，“哪裡能買到SMIC 20週年典藏版（榮耀Play4T）？”
就像房晉那樣，這群始終站在移動終端技術最前沿的人，為了這款低端機，願意付出的，不僅僅是一款最新主流旗艦級終端。
來源：財聯社